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वर्ग 13 के तत्त्वों को प्रथम आयनन एन्थैल्पी के मान ( kJ mol⁻¹) में इस प्रकार हैं-B Al Ga In TI801 577 579 558 589 सामान्य से इस विचलन की प्रवृत्ति की व्याख्या आप किस प्रकार करेंगे?

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वर्ग 13 के तत्त्वों को प्रथम आयनन एन्थैल्पी के मान ( kJ mol⁻¹) में  बदलते है  , आयनन एन्थैल्पी के मे बदलाव दो मुख्या कारक होते है , जैसे परमाणु संख्या तथा परिरक्षण प्रभाव |

EXPLANATION:

जैसे-जैसे हम समूह को नीचे जाते  हैं तो भीतर के कोश बढ़ते जाते हैं। इस प्रकार, नाभिक से आंतरिक कोर इलेक्ट्रॉनों द्वारा संयोजक के इलेक्ट्रॉनों का परिरक्षण प्रभाव (Shielding EFFECTS ) बढ़ता है। इस प्रकार, नाभिक की ओर इलेक्ट्रॉनों पर आकर्षक बल बहुत मजबूत हो जाता  है। इसलिए, जब हम समूह से नीचे जाते हैं, तो आयनन एन्थैल्पी में कमी आ जाती है। इसलिए समूह 13 के तत्वों के लिए आयनन एन्थैल्पी कम हो जाता है क्योंकि हम B से <klux>AL</klux> तक नीचे जाते हैं। Ga , Al की तुलना में उच्च आयनन एन्थैल्पी रखता  है। ऐसा इसलिए है क्योंकि Al , S-ब्लॉक तत्वों के बाद आता है, जबकि Ga , D-ब्लॉक तत्वों के बाद आता है। D-ब्लॉक तत्वों के इलेक्ट्रॉनों द्वारा प्रदान की जाने वाली परिरक्षण प्रभावी नहीं है। तथा, संयोजक के  इलेक्ट्रॉनों को प्रभावी ढंग से परिरक्षित नहीं किया जाता सकता  है। Ga परमाणु में संयोजक के  इलेक्ट्रान Al की तुलना में उच्च प्रभावी नभिकिये आवेश का अनुभव करते हैं । Ga से  नीचे जाने पर,  परिरक्षण प्रभाव में वृद्धि और परमाणु आकार में वृद्धि के कारण आयनन एन्थैल्पी का मान कम हो जाता है | लेकिन, Tl में In की तुलना में उच्च आयनन एन्थैल्पी होता है। ऐसा इसलिए है क्योंकि Tl  4f और 5D इलेक्ट्रॉनों के बाद आता है , इन  4f और 5d इलेक्ट्रॉनों द्वारा प्रदान की जाने वाली परिरक्षण प्रभावी नहीं है। इसलिए, संयोजक के इलेक्ट्रॉन को प्रभावी ढंग से परिरक्षित नहीं किया जाता है। इस प्रकार, Tl परमाणु में संयोजक के इलेक्ट्रॉनों की तुलना में अधिक  प्रभावी नभिकिये आवेश का अनुभव होता है।


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